مدل سازی تحول مداری سیارات فراخورشیدی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده علوم
- author آزاده تجلی اردکانی
- adviser مهدی جهانمیری
- publication year 1391
abstract
در این رساله، تحوّل تدریجی مدار یک سیّاره مشتری گون در اطراف ستاره ی مادر برای دامنه ای از جرمهای اولیّه ستاره و نیز فاصله مداری سیّاره مدل سازی و محاسبه شده است و نشان می دهیم که چگونه مدار سیّاره ضمن انبساط ستاره، در طی مسیر تحولی اش تا مرحله شاخه غول سرخ، متحول می شود. خصوصاً، دیده می شود که بواسطه نیروی جزر و مدّی وارد بر پوش همرفتی ستاره ی انبساط یافته، مدار سیاره انقباض یافته و نهایتاً، ستاره سیّاره را در بر می گیرد. به علاوه نشان می دهیم که این تاثیرات برای سیّارات سنگین تر و ستاره های سبکتر شدیدتر است. این نتایج می تواند توزیع شعاع مداری مشاهده شده سیّارات فراخورشیدی اطراف ستاره های تحوّل یافته با جرم بیشتر از 1.5 برابر جرم خورشید را توضیح دهد.
similar resources
تعیین پارامتر های فیزیکی سیارات فراخورشیدی با تحلیل منحنی نوری
تحلیل منحنی نوری یک سیستم سیاره-ستاره بیشترین اطلاعات را در مورد ویژگی های فیزیکی آن سیستم در اختیار ما قرار می دهد. با تحلیل منحنی نوری سیارات فرا خورشیدی می توان شعاع ستاره میزبان، شعاع سیاره، زاویه میل ، دما و خروج از مرکز مدار را تعیین کرد. به کمک بررسی منحنی های نوری یک سیستم که در زمان های مختلف بدست آمده اند، همچنین می توان از حضور سیارات دیگر در آن سیستم و نیز وجود قمر در سیاره مورد مطا...
15 صفحه اولبررسی تاثیربازتابش نورستاره میزبان از سیاره برپارامترهای هندسی و فیزیکی سیارات فراخورشیدی
با پرتاب ماهواره کپلر به فضا که هدف آن یافتن سیارات فرا خورشیدی بویژه سیارات زمین گون می باشد تعداد زیادی از این سیارات کشف شده اند . هنگام عبور سیاره از مقابل ستاره میزبان ، نور ستاره کاهش یافته و پس از اتمام عبور نور آن دوباره به مقدار اول باز میگردد. از بررسی این تغییرات نوری می توان مشخصات هندسی و فیزیکی سیاره و ستاره را تعیین کرد . اما با توجه به اینکه قسمتی از نور ستاره بطرف سیاره تابیده ...
15 صفحه اولمدل سازی جامع خازن فلز-اکسید-نیمرسانا مد تخلیهای برای شبیهسازی مداری
مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...
full textمدل سازی مداری نویز در آشکارسازهای نوری بهمنی
این پایان نامه ابتدا به بررسی مدلهای مداری ای می پردازد، که به منظور پیش بینی رفتار آشکارسازهای نوری ارائه شده اند. سپس با بررسی نقاط ضعف و ویژگهای آنها، یک مدل مداری پیشنهاد می کند که قادر است، جریان خروجی را تحت تاثیر اثر نویز موجود در قطعه، برای آشکارسازهای نوری نازک بخوبی پیش بینی کند. در این مدل سازی با در نظر گرفتن اثر پیشینه یونیزاسیون نفوذپذیر و طول فضای مرده سعی درارائه بیانی درست و جا...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده علوم
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023